射频易商城_低噪声放大器芯片_低噪声放大器的基本设计方法①
导读：很多朋友不知道低噪声放大器的基本设计原理，如何选择低噪声放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答Gain Block的基本设计原理。
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LNA的基本设计①
目前常见的低噪声放大器有以下几种： 低温制冷参量放大器、 常温恒温参量放大器、 微波场效应晶体管放大器和高电子迁移率晶体管放大器等。 参量放大器采用变容电抗元件（变容二极管） 对信号进行放大， 可以获得满意的低噪声性能， 进一步降低其工作的环境温度（例如环境温度达 20K） ， 会大幅度改善其噪声性能。然而随着金属半导体场效应晶体管性能的改善与提高， 低噪声场效应放大器的噪声性能已接近于常温参量放大器的水平。 同时， 由于 FET 放大器具有性能稳定、 结构紧凑、 价格低廉等优点， 它已逐步取代了参量放大器。 目前， Ku 频段以下的低噪声放大器普遍采用低噪声 FET 放大器。 继低噪声 MESFET 之后， 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobiliey Transistor） ， 简称 HEMT 器件， 获得了迅速的发展。 它在低噪声、 高工作频率方面比 FET 更优越， 已广泛投入使用。
推荐产品一、丽芯微电1 to 12GHz, LXA1013 通用低噪声放大器Die 裸芯片
频率：1 ～12 GHz
增益：18dB
噪声系数：1.1dB
-1dB输出功率：19.0dBm
输入回波损耗：-20dB
输出回波损耗：-19dB
工作电流：45mA @+5V
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