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导读：很多朋友不知道低噪声放大器的基本简介，如何选择低噪声放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答低噪声放大器的基本简介。

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射频低噪声放大器的基本简介②

②基极电阻 rb' b 的热噪声和。 ③散粒低噪声放大器噪声， 这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。 ④分配噪声，其强度与 f 的平方成正比， 当 f 高于晶体管的截止频率时, 这种噪声急剧增加。 图 1 是晶体管噪声系数 F 随频率变化的曲线。 对于低频,特别是超低频低噪声放大器, 应选用 1/f 噪声小的晶体管； 对于中、高频放大, 则应尽量选用高的晶体管， 使其工作频率范围位于噪声系数-频率曲线的平坦部分。 场效应晶体管没有散粒噪声。 在低频时主要是闪烁噪声， 频率较高时主要是沟道电阻所产生的热噪声。 通常它的噪声比晶体管的小， 可用于频率高得多的低噪声放大器。放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。 图 2 是考虑了自身噪声的放大器模型。 us 和 Rs 分别为信源电压和内阻, Rs的热噪声电压均方值等于 4kTRs 墹 f， 式中 T 为绝对温度， k 为玻耳兹曼常数， 墹 f 为放大器通带。 放大器自身噪声用噪声电压均方值和噪声电流均方低噪声放大器值表示, 它们是晶体管工作状态的函数， 可以用适当方法来测量。 这样， 放大器的噪声系数 F 可写作低噪声放大器 放大管的直流工作点一旦确定, 和亦随之确定， 这样,噪声系数 F 将主要是信源内阻 Rs 的函数。 Rs 有一使 F 为最小的最佳值（图 3）。 在工作频率和信源内阻均给定的情况下， 噪声系数也和晶体管直流工作点有关。 发射极电流 IE 有一使噪声系数最小的

最佳值, 典型的 F-IE 曲线如图 4 所示。 晶体管放大器的噪声系数基本上与电路组态低噪声放大器无关。 但共发射极放大器具有适中的输入电阻, F 为最小时的最佳信源电阻 Rs 和此输入电阻比较接近，输入电路大体上处于匹配状态， 增益较大。 共基极放大器的输入电阻小， 共集电极放大器的输入阻抗高， 两者均不易同时满足噪声系数小和放大器增益高的条件， 所以都不太适于作放大键前置级之用。 为了兼顾低噪声和高增益的要求， 常采用共发射极-共基极级联的低噪声放大电路。

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频率：DC ～20 GHz
增益：16dB
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输入回波损耗：-12dB
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工作电流：51mA @+5V

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