射频易商城_芯片电容_电容如何正确接入芯片电路②

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电容正确接入芯片的电路及方法②

2.根据权利要求1所述的基于电容范围来检测芯片引脚电容正确接入的电路,所述开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。

3.根据权利要求1所述的基于电容范围来检测芯片引脚电容正确接入的电路,所述第二开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于电容范围来检测芯片引脚电容正确接入的电路,所述第三开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。
5.一种基于权利要求1所述电路的检测方法,其特征在于,在集成电路芯片工作输出之前,集成电路芯片本身对芯片引脚电容进行检测,当芯片引脚电容能够满足集成电路芯片正常工作的电容之后,再进行集成电路芯片主体电路的开启。
6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,该检测方法具体为:上电伊始,先同时打开开关管、第二开关管、第三开关管,使得同时给电容、第二电容和芯片引脚电容进行充电,然后再在设定的一个时间内 ,去比较三个电容所充的电压值,如果电容的电压值<芯片引脚电容的电压值,且第二电容的电压值>芯片引脚电容的电压值,则说明芯片引脚电容正常接入,能正常开启芯片。

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100pF, 20%, 多层芯片电容(镀金焊盘)

型号:C14-0202-100V-101
容值/容差:100pF / 20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:20%
损耗@频率:100V
封装尺寸:0.5*0.5*0.35 mm
性能特点:电容器ESL小,谐振频率高;适合键合组装方式,与半导体芯片相同的装配工艺;容量高,相比单层陶瓷电容器体积更小,可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪;微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域,可替代部分单层电容。

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