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导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究⑤

2. 2　 过渡层厚度对器件性能的影响

选用 HT 作为陶瓷介质基片, 由 于复合膜层( 如TaN/TiW、 TiW/Ni) 不易准确分解各层的厚度, 会使测试数据出现错误。 因此针对过渡层厚度对器件性能影响的分析, 高介薄型陶瓷芯片电容的制备选择温度稳定性较好、 制备难度较低的 TiW/Au 膜系, 通过控制溅射的参数, 使过渡层的厚度分别为 80, 400, 600nm, 种子层溅射完成后观察表面覆盖情况, 然后进行外金属电极制备和分片切割, 最后测量高介薄型陶瓷芯片电容的性能。
2. 2. 1　 不同过渡层厚度样品表面覆盖情况
在溅射完成后, 通过 SEM 观察样品表面, 不同厚度过渡层对应样品表面的 SEM 图如图 6。从图 6 ( a) 可以看出, 采用 80 nm 厚度过渡层制备的电容样品表面膜层覆盖不完全, 表面有明显的陶瓷介质晶粒。 当过渡层厚度增加至 400 nm 时, 电容样品表面覆盖情况有明显改善, TiW 层将陶瓷表面包裹完全, 基本看不见裸露在外的陶瓷晶粒, 充分阻断了表

面金属电极与陶瓷介质的接触。 再将缓冲层厚度提高到 600 nm 后, 电容样品表面包裹覆盖情况进一步提高, 已经完全看不到裸露在外的陶瓷晶粒, 而且也看不见晶粒的轮廓, 整个缓冲层表面平整、 光滑且致密。因此从膜层覆盖的情况来看, 膜层厚度在 400 nm 时已经能比较好地覆盖介质陶瓷, 当增加到 600 nm 后, 表面覆盖更加完整, 已基本看不到表面晶粒的轮廓。

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