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导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究③

1. 2　 陶瓷芯片电容的精密切割

选用高速高稳定的两英寸主轴的砂轮划片机, 采用不同类型的切割刀、 不同转速和行进速度、 不同的固定方式进行切割, 切割完成后进行观察和测量。
1. 3　 样品测试
采用绝缘电阻测试仪测试样品的绝缘电阻; 使用LCR( Agilent 4284A) 测试仪测试样品的介电性能; 在样品介电性能测试过程中, 采用 temp850 型温控箱对测试环境温度进行控制; 使用扫描电 子显微镜( FEIInspect F, United Kingdom) 观察样品的表面微观形貌;使用电子测量显微镜( NR 8090) 观察样品的形貌并测量切割卷边尺寸。
2　 结果与讨论
2. 1　 膜系结构中过渡层对性能的影响选用 HT 作为陶瓷介质基片, 不同过渡层材料的膜系结构如表 1, 膜系结构中的过渡层厚度为 400 nm,按表 1 设定的膜系进行金属化后, 进行器件的精密切割, 并分别测试了高介薄型陶瓷芯片电容绝缘电阻的偏压特性和温度特性、 电容量和介电损耗的温度特性。
2. 1. 1　 膜系结构中过渡层对绝缘电阻的影响
采用不同过渡层制作的高介薄型陶瓷芯片电容在常温下, 测得其绝缘电阻偏压特性如图 2 所示。 当过渡层厚度都为 400 nm, 但过渡层材料不同时, 其对应的电容器样品的绝缘电阻存在着较大的差异。 C 在各个电压点的绝缘电阻都比较大 [ 6-7] , A 和 B 在各个电压点的绝缘电阻值差异较小。 三种不同膜系制作的样品在 50 V 以下的电压下进行测试, 绝缘电阻下降趋势比较平缓, 但随着测试电压的升高, 所有样品的绝缘电阻都出现了比较大的衰减。 但相对于 A 和 B, C在 100 V 时的绝缘电阻仍然约有 8000 MΩ。 综合来看,在常温下采用 TaN 和 TiW 作为过渡层的 TaN/TiW/Au膜系制备的样品 C 具有更高的绝缘电阻。

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1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
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性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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